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力拼五年內(nèi)超越臺(tái)積電 三星宣布將發(fā)布二代3納米制程

2023-05-10 17:08:16   作者:   來(lái)源:CTI論壇原創(chuàng)   評(píng)論:0  點(diǎn)擊:


  韓國(guó)三星在2023年6月底正式宣布量產(chǎn)了第一代3nm GAA制程技術(shù),這也是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù),打破了FinFET原有的性能限制,藉由降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比,同時(shí)還透過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流來(lái)提升芯片性能。 如今,根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),三星將進(jìn)一步介紹的第二代3nm制程技術(shù),其效能將較第一代3nm制程技術(shù)有所優(yōu)化。

  報(bào)道指出,2023年VLSI技術(shù)和電路研討會(huì)將于2023年6月11至16日在日本京都舉行。 而根據(jù)官方預(yù)告,三星將介紹名為SF3的第二代3nm制程技術(shù),該制程技術(shù)預(yù)計(jì)將使用第二代 MBCFET架構(gòu),在第一代3nm GAA(SF3E)基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的優(yōu)化。

  根據(jù)三星表示,與4nm低功耗制程技術(shù)(SF4)相較,第二代3nm制程技術(shù)在相同功率和晶體管數(shù)量下,運(yùn)算效能提高了22%,在相同頻率和復(fù)雜性下的功耗降低了34%,娉驗(yàn)面積縮小了21%。 不過(guò),三星并沒有將其 SF3 與 SF3E 進(jìn)行比較,也沒有關(guān)于 SRAM 和模擬電路縮放方面的數(shù)據(jù)。

  事實(shí)上,與傳統(tǒng) FinFET 技術(shù)相較,GAA 技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)之一是泄漏電流減少。 另外,通道厚度可以調(diào)整,以提高性能或降低功耗。 三星表示,第二代3nm制程技術(shù)提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性,使用不同寬度的MCFET。 而第二代3nm制程技術(shù),三星方面表示,將有機(jī)會(huì)在2024年與臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)上展開競(jìng)爭(zhēng)。

  先前,三星集團(tuán)旗下設(shè)備解決方案部門總裁慶桂顯在媒體訪問時(shí)坦承,其半導(dǎo)體制程上落后于臺(tái)積電。 不過(guò),他認(rèn)為三星更早地采用GAA晶體管技術(shù)是一項(xiàng)優(yōu)勢(shì),預(yù)計(jì)5年內(nèi)可以達(dá)成超越臺(tái)積電的目標(biāo)。

  報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,三星目前也還在改進(jìn)其4nm制程技術(shù),目標(biāo)是透過(guò)SF4P(4LPP+)縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距,預(yù)計(jì)會(huì)在2023年下半年量產(chǎn)。 此外,三星還計(jì)劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC)。 不過(guò),在幾乎同一時(shí)間,臺(tái)積電也會(huì)帶來(lái)名為N3P的增強(qiáng)型3nm制程技術(shù)。 因此,屆時(shí)的競(jìng)爭(zhēng)究竟誰(shuí)能勝出,目前還猶未可知。

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