Thomson Reuters報(bào)導(dǎo)，三星電子第1季營(yíng)益創(chuàng)下14年來(lái)最低紀(jì)錄。 其中，芯片部門第1季營(yíng)損金額達(dá)4.58萬(wàn)億韓元，創(chuàng)史上最高虧損紀(jì)錄。
三星電子第1季裝置解決方案(DS)部門(包括內(nèi)存芯片在內(nèi))營(yíng)收年減49%(季減32%)至13.73萬(wàn)億韓元。 其中，內(nèi)存芯片營(yíng)收年減56%(季減27%)至8.92萬(wàn)億韓元。
三星電子周四表示，受需求萎縮影響，晶圓代工部門第1季產(chǎn)能利用率下滑、庫(kù)存水平上揚(yáng)且獲利大幅縮減。
三星電子晶圓代工部門正透過(guò)環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)(GAA)技術(shù)量產(chǎn)第一代3納米制程芯片，良率在第1季期間呈現(xiàn)持穩(wěn)。 三星目前正開發(fā)第二代工藝、目標(biāo)是在2024年量產(chǎn)，現(xiàn)正致力于從需要在移動(dòng)、高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用獲得高性能、低功耗特性的主要客戶那里取得新訂單。
三星電子表示，拜客戶庫(kù)存逐步縮減帶動(dòng)需求反彈之賜，晶圓代工部門第2季獲利可望略優(yōu)于第1季。 此外，三星電子晶圓代工部門也透過(guò)完成高密度內(nèi)存整合技術(shù)開發(fā)，為支持未來(lái)的生成人工智能產(chǎn)品奠定基礎(chǔ)。
三星電子預(yù)期，今年下半年市況將因HPC、車用需求而復(fù)蘇，獲利也將隨之反彈; 基于第二代3納米GAA技術(shù)的穩(wěn)定開發(fā)，晶圓代工業(yè)務(wù)將因順利推進(jìn)次世代2納米開發(fā)而擴(kuò)大新客戶訂單。
