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不斷提升生產(chǎn)工藝,報(bào)告稱三星3nm芯片良率已達(dá)60%,高于臺(tái)積電的55%

2023-07-18 11:15:57   作者:   來(lái)源:IT之家   評(píng)論:0  點(diǎn)擊:


  根據(jù)近日發(fā)布的報(bào)告,Samsung Foundry 在 3nm 工藝上的良率達(dá)到了 60%,高于臺(tái)積電(55%)。

  報(bào)道稱三星大力發(fā)展 3nm,不斷提升生產(chǎn)工藝、提高生產(chǎn)良率,目前已經(jīng)將良率提升到 60%,該媒體認(rèn)為三星會(huì)在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)上勝過(guò)臺(tái)積電。

  

 

  報(bào)告中也指出三星目前在 4nm 工藝方面良率為 75%,和臺(tái)積電(80%)存在差距,不過(guò)通過(guò)發(fā)力 3nm,有望在未來(lái)超過(guò)臺(tái)積電。

  報(bào)告中還指出由于臺(tái)積電的大部分訂單都被蘋(píng)果預(yù)訂,英偉達(dá)、高通等公司都對(duì)三星的第二代 3nm(SF3)工藝感興趣。

  

 

  據(jù)此前報(bào)道,Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線圖,該公司計(jì)劃在 2025 年推出 2 納米級(jí)的 SF2 工藝,2027 年推出 1.4 納米級(jí)的 SF1.4 工藝。與此同時(shí),該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

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