水系鋅離子電池（ZIBs）憑借安全、無毒，以及較高的理論容量，已經(jīng)成為最具潛力的可持續(xù)儲能技術(shù)之一。在眾多 ZIBs 電極材料中，層狀釩氧化物具有晶體結(jié)構(gòu)可調(diào)、容量高等特點，是現(xiàn)階段廣泛研究的正極材料�；�于離子或分子預(yù)插層策略可以有效解決正極材料的晶格空間不足、電子傳導(dǎo)性低等問題，從而進一步提升電池性能。然而，目前對插層型正極材料的研究多關(guān)注于層間空間膨脹對容量的貢獻。因此，發(fā)展先進的原位表征技術(shù)，從原子軌道方面深入理解由插層劑引起的電極材料內(nèi)在結(jié)構(gòu)變化是未來高性能正極材料設(shè)計和開發(fā)的關(guān)鍵所在。

　　圖 1. 應(yīng)用于高性能 ZIBs 正極材料 NH4+-V2O5 的 V t2g 軌道占據(jù)機制。

　　本工作發(fā)揮同步輻射光源的綜合性實驗平臺的優(yōu)勢，結(jié)合多種原位與非原位同步輻射譜學(xué)實驗技術(shù)，深入揭示了銨根離子（NH4+）插層后，V2O5 中 V 3dt2g 軌道占據(jù)的變化，以及充放電過程中的可逆演變規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn)，NH4 + 插層在很大程度上誘發(fā)了 V-O 鍵的結(jié)構(gòu)畸變，進一步導(dǎo)致電子結(jié)構(gòu)的重排，促使 V t2g 軌道中 3dxy 空態(tài)的占據(jù)。這種 V t2g 軌道占據(jù)極大地提高了材料的電導(dǎo)率，聯(lián)合 NH4 + 插層后拓寬的層間距，從而顯著加速了鋅離子（Zn2+）的轉(zhuǎn)移，實現(xiàn)了鋅離子電池的超高倍率性能。

　　測試結(jié)果表明，在電流密度為 200 C 時，銨根插層五氧化二釩（NH4+-V2O5）正極材料的比容量仍維持在 101.0 mA h g-1，且充電時間僅需 18 s。該工作不僅從原子軌道方面對插層型 V2O5 材料中 Zn2 + 儲能機制的理解提供了依據(jù)，也為高性能鋅離子電池在快充儲能器件中的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。