從 SK 海力士官方公告中獲悉,第 8 代 3D NAND 堆疊成熟超過 300 層,容量為 1Tb(128GB),具有三級單元和超過 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。
該芯片的頁容量(page size)為 16KB,擁有 4 個 planes,接口傳輸速度為 2400MT / s,最高吞吐量為 194MB/s(比第 7 代 238 層 3D NAND 快 18%)。
新 NAND 的位密度增加近一倍,意味著將顯著提高新制造節(jié)點的每晶圓生產(chǎn)率,也將降低 SK 海力士的成本,只是尚不清楚具體程度。