英特爾中國(guó)總裁王瑞在一次活動(dòng)中表示，該公司已經(jīng)確定了兩項(xiàng)技術(shù)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)，但這并不意味著生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)已準(zhǔn)備好用于商業(yè)制造。

　　英特爾的20A制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。同時(shí)縮小金屬間距、引入全新的晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電是一項(xiàng)高風(fēng)險(xiǎn)的舉措，但預(yù)計(jì)20A將使英特爾超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——TSMC和三星。英特爾計(jì)劃在2024年上半年開(kāi)始使用這個(gè)節(jié)點(diǎn)。

　　英特爾的18A制造工藝將進(jìn)一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術(shù)，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點(diǎn)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，以至于英特爾將其推出時(shí)間從2025年提前到2024年下半年。英特爾最初計(jì)劃在其1.8埃節(jié)點(diǎn)上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑（NA）光學(xué)為0.55，但由于決定盡早使用該技術(shù)，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學(xué)NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

　　該公司預(yù)計(jì)，當(dāng)其1.8納米級(jí)制造技術(shù)在2024年下半年進(jìn)入高產(chǎn)量制造時(shí)，它將成為行業(yè)最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

　　Intel的20A和18A制造工藝既為公司自身產(chǎn)品的生產(chǎn)開(kāi)發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產(chǎn)芯片。

　　Intel的首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會(huì)議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關(guān)系，并持續(xù)擴(kuò)大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長(zhǎng)，目前已經(jīng)有43個(gè)潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進(jìn)行測(cè)試芯片。”此外，我們?cè)贗ntel 18A方面仍在取得進(jìn)展，已經(jīng)與我們的主要客戶分享了PDK 0.5（工藝設(shè)計(jì)工具包）的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來(lái)幾周內(nèi)發(fā)布最終生產(chǎn)版本。”